【天极网数码频道】12月29日，台积电在台南科学园区举办3纳米生产暨扩厂典礼，正式宣布启动3纳米大规模生产。此前，三星早在6月份就已经宣布开启3纳米工艺制程生产，而台积电在原先的规划中打算在9月正式量产，但是因为一些原因延期到12月份。

据报道，南科芯片18厂是台积电5纳米以及3纳米芯片的生产基地，其中芯片18厂5至9期则是3纳米的生产基地。根据台积电总裁兼联合行政总裁魏哲家此前的说法，台积电的N3制程进度符合预期，将在2022年下半年量产并具备良好良品率。在HPC(高性能计算机群)和智能手机相关应用的驱动下，N3制程2023年将稳定量产，并于2023年上半年开始贡献营收。

而在3纳米制程的加强版上，台积电表示其研发成果也要优于预期，将具有更好的效能、功耗以及良品率，能够为智能手机以及HPC相关应用在3nm时代提供完整的平台支持，而N3E制程也预计在2023年下半年进入量产。目前已经确认苹果将成为台积电3nm工艺的首位客户，或将在M2 Pro上首发该工艺芯片。

同时有消息表明，原先台积电的3纳米客户为英特尔，但由于英特人的Meteor Lake 核显订单延期，此举大幅冲击台积电扩产计划，造成 3nm 制程自今年下半年至明年首波客户仅剩苹果，产品包含M系列芯片及A17芯片。因此，台积电已决议放缓其扩产进度，以确保产能不会因过度闲置而导致成本压力。

或许这也是为什么台积电在临近年末才开启3纳米制程工艺量产的原因之一，此外业内人士称，明年下半年英特尔也将尝试采用3nm芯片，而高通、联发科等企业则会在明年以及后面逐渐完成3nm芯片的研发，并应用到新款产品上。

目前三星已经在韩国的华城工厂大规模开始量产3nm芯片，与前几代使用的FinFET的芯片不同，三星使用了GAA晶体管架构，能极大改善芯片的功率以及效率。与之前的5nm相比，新一代的3nm制程工艺降低了45%的功耗，并且性能提升23%的同时减少16%的面积。

三星还宣称，第二代的3nmGAA制造工艺也尚在研发中，下一代工艺将使芯片的功耗降低50%，性能提升30%并减少35%的面积。三星电子表示，其GAA晶体管芯片将会应用于高性能、低功耗的计算领域，并计划拓展到移动处理器。

台积电目前将会用有限产生来生产3纳米制程工艺芯片，并且在明年晚些时候，全面转向更加稳定高效的的N3E工艺。此后将在24年进一步提升至N3P工艺，同年试产2纳米GAA工艺，25年全面投产2纳米工艺。